武漢欣云科學(xué)技儀器有限公司
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安捷倫半導(dǎo)體光刻膠中雜質(zhì)元素測定 SOP, 助力光刻膠國產(chǎn)化
電子信息時代下,移動互聯(lián)、智能化技術(shù)浪潮激發(fā)上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長。現(xiàn)階段,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,中國的崛起已是不爭的事實(shí)。
“光刻作為集成電路制程中的核心步驟,其過程中的試劑及材料的金屬離子污染會直接導(dǎo)致制程良率降低甚至廢品產(chǎn)生,尤其對于影響zui為嚴(yán)重的堿金屬、堿土金屬,管控zui為嚴(yán)格。而光刻膠作為光刻制程中的核心材料,其產(chǎn)品品質(zhì)要求逐步提升。金屬離子含量管控需求已從成品逐步發(fā)展到全產(chǎn)業(yè)鏈,尤其對于基礎(chǔ)原料中金屬離子含量的控制,會直接影響后續(xù)工藝和最終成品。”
原料篩查助力產(chǎn)品制程
表格為:Warm Plasma 模式
針對半導(dǎo)體光刻膠,從樣品制備,到針對各種有機(jī)樣品ICP-MS儀器參數(shù)選擇,安捷倫與業(yè)內(nèi)專家共同整理了《ICP-MS/MS 測定半導(dǎo)體光刻膠中的雜質(zhì)元素 SOP》,期望助力光刻膠國產(chǎn)化。
------轉(zhuǎn)自安捷倫視界